碳化硅晶锭 N型/SI型

苏州恒迈瑞材料科技作为专业的碳化硅衬底晶片生产商，可同时为国内外客户生长供应导电N型碳化硅晶锭及半绝缘SI型碳化硅晶锭。碳化硅晶棒产品尺寸有100mm4英寸及150mm6英寸可供选择，主要用于新能源汽车、光伏储能等电力电子领域，每个晶锭厚度在15~20mm左右。高质量的碳化硅产品、具有市场竞争力的价格及完善的售前售后服务使恒迈瑞获得了国内外客户的一致好评。

4英寸碳化硅晶体参数

6英寸碳化硅晶体参数


碳化硅衬底被视为第三代半导体产业核心原材料，导电型衬底可生产碳化硅功率电力电子器件，而半绝缘型衬底则可生产氮化镓微波射频器件。碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术，目前行业采用主流的方法为物理气相传输法（PVT）。碳 化硅衬底行业属于技术密集型行业，是材料、热动力学、半导体物理、化学、计算机仿真模拟、机械等交叉学科应用，其制作过程首先是使晶体生长形成碳化硅晶锭，将其加工和切割形成碳化硅晶片后通过对晶片进行研 磨、抛光和清洗最终形成碳化硅衬底。碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键点，SiC 单晶主要有物理气相 传输法（PVT）、顶部籽晶溶液生长法（TSSG）、高温化学气相沉积法（HTCVD）三种方法。

 

碳化硅晶棒包装