SiC Substrate Wafer Manufacturer and Supplier碳化硅晶片厂家规格

4inch 4H-N SiC Substrate Wafer

Silicon Carbide (SiC) Substrate
Diameter: 100±0.5mm
Thickness：350±25um
Doping : Nitrogen
6 inch 4H-N SiC Substrate Wafer

Silicon Carbide (SiC) Substrate
Diameter: 150±0.2mm
Thickness：350±25um
Doping : Nitrogen
4 inch Semi-insulating SiC Substrate

Silicon Carbide (SiC) Substrate
Diameter: 100±0.5mm
Thickness：500±25um
Doping : Un-doped
6 inch 4H-SI SiC Substrate Wafer

Silicon Carbide (SiC) Substrate
Diameter: 150±0.2mm
Thickness：500±25um
Doping : Un-doped
碳化硅衬底片 4英寸测试级SiC衬底晶片

等级：测试级碳化硅晶片
厚度：350um；500um
尺寸：4英寸 6英寸
类型：4H-N导电型 ; 4H-SI半绝缘型
4H-N/4H-SI 研究级碳化硅衬底晶片

等级：研究级碳化硅晶片
厚度：350um；500um
尺寸：4英寸 6英寸
类型：4H-N导电型 ; 4H-SI半绝缘型
碳化硅晶片产品级SiC衬底晶片

等级：产品级碳化硅晶片
厚度：350um；500um
尺寸：4英寸 6英寸
类型：4H-N导电型 ; 4H-SI半绝缘型
碳化硅衬底晶片超低MPD碳化硅晶片

等级：超低微管密度碳化硅晶片
厚度：350um；500um
尺寸：4英寸 6英寸
类型：4H-N导电型 ; 4H-SI半绝缘型

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