4H-N/4H-SI 研究级碳化硅衬底晶片

苏州恒迈瑞材料科技作为碳化硅衬底片（SiC碳化硅晶片）的专业生产厂家，可提供研究级SiC碳化硅衬底晶片。产品尺寸主要有2英寸和3英寸，类型分为导电型4H-N掺杂氮和半绝缘型4H-SI掺杂钒以及半绝缘型4H-SI非掺杂碳化硅晶片。导电型碳化硅衬底片上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域；在半绝缘型碳化硅衬底晶片上生长氮化镓外延层可以制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成微波射频器件，应用于5G通讯、雷达等领域。

导电型/半绝缘型碳化硅衬底晶片应用


恒迈瑞研究级SiC碳化硅衬底片规格



采用碳化硅材料制作的衬底LED器件亮度更高，能耗更低，寿命更长，单位芯片面积更小，且在大功率LED方面具有非常大的优势。此外碳化硅材料除了用作LED衬底，它还可以制造高耐压，大功率电力电子器件如肖特基二极管，晶闸管，金属-氧化物半导体场效应晶体管等，用于智能电网太阳能并网，电动汽车行业。碳化硅基功率器件可以大大降低能耗，节约电力。采用碳化硅材料制成的电力电子元件可工作于极端环境和恶劣环境下，特别适用于航空航天、石油地质勘探、高速铁路、新能源汽车、太阳能逆变器及工业驱动等需要大功率电源转换的应用领域。

碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料，与硅材料的物理性能对比，主要特性包括：

（1）临界击穿电场强度是硅材料近10倍；
（2）热导率高，超过硅材料的3倍；
（3）饱和电子漂移速度高，是硅材料的2倍；
（4）抗辐照和化学稳定性好；
（5）与硅材料一样，可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。