碳化硅衬底片 4英寸测试级SiC衬底晶片

苏州恒迈瑞材料科技作为碳化硅衬底片（SiC碳化硅晶片）的专业生产厂家，可提供测试级SiC碳化硅衬底晶片。产品尺寸主要有2英寸3英寸，4英寸及6英寸，类型分为导电型4H-N掺杂氮和半绝缘型4H-SI掺杂钒以及半绝缘型4H-SI非掺杂碳化硅晶片。碳化硅材料作为第三代半导体的主要代表之一，拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率等显著的性能优势，在电动汽车、电源、航天等领域备受欢迎，为众多产业发展打开了全新的应用可能性。

碳化硅晶片应用


恒迈瑞测试级SiC碳化硅衬底片规格



以SiC碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽、热导率高，击穿场强高，饱和电子漂移速率高，化学性能稳定，硬度高，抗磨损，高键和高能量以及抗辐射等优点，可广泛用于制造高温，高频，高功率，抗辐射，大功率和高密集集成电子器件，用SiC碳化硅衬底开发的电力电子器件（SBD、MOSFET、IGBT、BJT、JFET等）用在输变电、风力发电、太阳能、混合动力汽车等电力电子领域，降低电力损失，减少发热量，高温工作，提高效率，增加可靠性。

碳化硅衬底的优势：

• 碳化硅衬底与氮化镓（GaN）外延层的晶格常数匹配，化学特性相容；
• 碳化硅材料热导率优秀（比蓝宝石高10倍以上）且与GaN外延层热膨胀系数相近；
  
• 碳化硅是导电的半导体，可以制作垂直结构器件，其两个电极分布在器件的表面和底部，能解决蓝宝石衬底必须的横向结构封装带来的各种缺点；
  
• 碳化硅衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。