SiC Wafer Manufacturers碳化硅晶片厂家, GaN Wafer Manufacturers 氮化镓衬底晶片厂家，4H-N SiC Wafer Manufacturers 导电型碳化硅衬底晶片厂家

SiC Ingots 6 inch

Diameter: 150±0.2mm
Thickness: Min ＞15mm
Type: 4H-N or 4H-SI
Grade: D Grade / P Grade
SiC Ingots 4 inch

Diameter: 100±0.25mm
Thickness: Min ＞15mm
Type: 4H-N or 4H-SI
Grade: D Grade / P Grade
碳化硅晶棒4英寸6英寸

长度：Min ≥15mm
等级：测试D级/产品P级
类型：导电N型/半绝缘SI型
直径：100±0.25mm/150±0.2mm
碳化硅晶锭 N型/SI型

长度：Min ≥15mm
尺寸：4英寸及6英寸
类型：导电N型/半绝缘SI型
包装：单晶锭密封包装
4inch 4H-N SiC Substrate Wafer

Silicon Carbide (SiC) Substrate
Diameter: 100±0.5mm
Thickness：350±25um
Doping : Nitrogen
6 inch 4H-N SiC Substrate Wafer

Silicon Carbide (SiC) Substrate
Diameter: 150±0.2mm
Thickness：350±25um
Doping : Nitrogen
4 inch Semi-insulating SiC Substrate

Silicon Carbide (SiC) Substrate
Diameter: 100±0.5mm
Thickness：500±25um
Doping : Un-doped
6 inch 4H-SI SiC Substrate Wafer

Silicon Carbide (SiC) Substrate
Diameter: 150±0.2mm
Thickness：500±25um
Doping : Un-doped
碳化硅衬底片 4英寸测试级SiC衬底晶片

等级：测试级碳化硅晶片
厚度：350um；500um
尺寸：4英寸 6英寸
类型：4H-N导电型 ; 4H-SI半绝缘型
4H-N/4H-SI 研究级碳化硅衬底晶片

等级：研究级碳化硅晶片
厚度：350um；500um
尺寸：4英寸 6英寸
类型：4H-N导电型 ; 4H-SI半绝缘型
碳化硅晶片产品级SiC衬底晶片

等级：产品级碳化硅晶片
厚度：350um；500um
尺寸：4英寸 6英寸
类型：4H-N导电型 ; 4H-SI半绝缘型
碳化硅衬底晶片超低MPD碳化硅晶片

等级：超低微管密度碳化硅晶片
厚度：350um；500um
尺寸：4英寸 6英寸
类型：4H-N导电型 ; 4H-SI半绝缘型
Silicon Carbide Epitaxial Wafer

Size: 3'' 4'' 6''
Type: N-Type/ P-Type
Dopant: Nitrogen/Aluminum
Thickness:0.2~50μm

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