碳化硅晶片 产品级SiC衬底晶片

苏州恒迈瑞材料科技作为碳化硅晶片（SiC碳化硅衬底片）的专业生产厂家，可提供产品级SiC碳化硅衬底晶片。产品尺寸主要有2英寸3英寸，4英寸及6英寸，类型分为导电型4H-N掺杂氮和半绝缘型4H-SI掺杂钒以及半绝缘型4H-SI非掺杂碳化硅晶片。碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中唯一的稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一，也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。恒迈瑞公司所生产的碳化硅晶片产品可广泛应用于以新能源汽车、高速轨道交通、超高压智能电网为代表的功率电子应用领域和以5G通信、航空航天通信等为代表的高频射频应用领域。

碳化硅晶片应用


恒迈瑞产品级SiC碳化硅衬底晶片规格



SiC碳化硅晶体结构决定了其独特的物理，相对于Si和GaAs，SiC碳化硅拥有更为优越的物理性质；禁带宽度大，接近于Si的3倍，保证器件在高温工作下的长期可靠；击穿场强高，是Si的1O倍，保证器件耐压容量，提高器件的耐压值；饱和电子速率大，是Si的2倍，增加器件的工作频率和功率密度；热导率高，超过Si的3倍，增加了器件的散热能力，实现设备的小型化等。

碳化硅衬底的优势：

• 碳化硅衬底与氮化镓（GaN）外延层的晶格常数匹配，化学特性相容；
• 碳化硅材料热导率优秀（比蓝宝石高10倍以上）且与GaN外延层热膨胀系数相近；
  
• 碳化硅是导电的半导体，可以制作垂直结构器件，其两个电极分布在器件的表面和底部，能解决蓝宝石衬底必须的横向结构封装带来的各种缺点；
  
• 碳化硅衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。