碳化硅衬底晶片 超低MPD碳化硅晶片

苏州恒迈瑞材料科技作为碳化硅衬底晶片（SiC碳化硅衬底片）的专业生产厂家，可提供超低微管密度SiC碳化硅晶片。产品尺寸主要有4英寸及6英寸，目前用于衬底的碳化硅以4H为主，导电类型分为半绝缘型（非掺杂、钒掺杂）与N型。碳化硅衬底晶片用于肖特基二极管（SBD），金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）,结型场效应晶体管（JFET）和双极结型晶体管（BJT）的制作。这些电子电力器件可广泛应用于太阳能逆变器，风力发电，混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统。

碳化硅衬底晶片应用


恒迈瑞超低微管密度SiC碳化硅衬底晶片规格



碳化硅衬底晶片及其功率器件
● 衬底晶片应用：高端照明、SiC外延片、GaN外延片、PSS衬底等
● 新能源汽车应用：电动汽车电驱系统功率器件、充电桩功率器件等
● 军工应用：机载雷达通讯设备功率器件、微波通讯大功率器件等
● 超高速集成电路：RFIC（射频集成电路）、SOS 芯片、光通讯芯片、5G 技术等

碳化硅衬底作为第三代半导体材料，凭借其在高温、高压、高频等条件下的优异性能表现，成为当今非常受关注的新型半导体材料之一。SiC碳化硅晶体结构决定了其独特的物理，相对于Si和GaAs，SiC碳化硅拥有更为优越的物理性质；禁带宽度大，接近于Si的3倍，保证器件在高温工作下的长期可靠；击穿场强高，是Si的10倍，保证器件耐压容量，提高器件的耐压值；饱和电子速率大，是Si的2倍，增加器件的工作频率和功率密度；热导率高，超过Si的3倍，增加了器件的散热能力，实现设备的小型化等。